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而反向电阻则为无穷大。三极管的检测方法与经验1、中、小功率三极管的检测A）已知型号和管脚排列的三极管，可按下述方法来判断其性能好坏：①测量极间电阻：将万用表置于R×100或R×1K挡，按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻，硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。②三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积：ICBO随着环境温度的升高而增长很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。通过用万用表电阻直接测量三极管e－c极之间的电阻方法，可间接估计ICEO的大小，具体方法如下：万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1K挡，对于PNP管，黑表管接e极，红表笔接c极，对于NPN型三极管，黑表笔接c极，红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好。e－c间的阻值越大，说明管子的ICEO越小；反之，所测阻值越小，说明被测管的ICEO越大。一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管。电子元器件回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，有需求可以来电咨询！武汉呆滞电子元器件回收平台

元器件的检测是一项必不可少的基础性工作，如何准确有效地检测元器件的相关参数，判断元器件的是否正常，不是一件千篇一律的事，必须根据不同的元器件采用不同的方法，从而判断元器件的正常与否。电子元器件主要有三类检测项目：1.常规测试主要测试电子元器件的外观、尺寸、电性能、安全性能等；根据元器件的规格书测试基本参数，如三极管，要测试外观、尺寸、ICBO、VCEO、VCES、HFE、引脚拉力、引脚弯曲、可焊性、耐焊接热等项目，部分出口产品还要测试RoHS。2.可靠性测试主要测试电子元器件的寿命和环境试验；根据使用方的要求和规格书的要求测试器件的寿命及各种环境试验，如三极管，要进行高温试验、低温试验、潮态试验、振动试验、最大负载试验、高温耐久性试验等项目的试验；主要针对器件的内部结构及工艺进行把控。如三极管，主要手段有X光检测内部结构、声扫监控内部结构及封装工艺、开封监控内部晶圆结构及尺寸等。其中X-Ray实时成像技术应用日渐，由于其具有无损、快速、易用、相对低成本的特点，得到越来越多的电子产品制造商的青睐。X-ray检测可用来检查元器件的内部状态，如芯片排布、引线的排布以及引线框架的设计、焊球（引线）等。对复杂结构的元器件。深圳库存电子元器件回收服务上海海谷电子有限公司为您提供电子元器件回收，有需要可以联系我司哦！

未来几年我国面对下游旺盛的需求新型电子元器件行业应提升技术水平扩大产能应对市场需求。第四节新型电子元器件进出口数据分析一、我国新型电子元器件进出口数据分析1、进口分析图表：2015-2017年1-10月我国新型电子元器件进口统计数据来源：中国海关总署、中研普华数据整理注：新型电子元器件海关代码为，从海关公布的信息来看我国新型电子元器件进口量呈现平稳态势没有大幅波动现象出现。2、出口分析图表：2015-2017年1-10月我国新型电子元器件出口统计数据来源：中国海关总署、中研普华数据整理从进出口数据不难看出我国是新型电子元器件出口大国出口量及金额都远高于进口数量，这从侧面反映出我国新型电子元器件在国际市场占有的地位。二、2018-2023年国内新型电子元器件产品进出口情况预测1、进口预测我国近几年新型电子元器件已经从技术上慢慢实现了追赶，在未来几年进口量还将进一步提高，随着国产化需求的增强，及自身生产产能及生产技艺的提升未来进口上可能增幅会有所回落，但是受我国近几年下游需求旺盛影响，短期内进口大幅回落的可能性较低，主要原因也是国内现有产能不足以完全满足下游发展。

只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。双向可控硅阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。2、单向可控硅的检测万用表选电阻R*1Ω挡。上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子元器件回收的公司，有想法的不要错过哦！

表明发光二极管已损坏。万用表选电阻R×1挡。红、黑表笔接输出端，测正、反向电阻，正常时均接近于∞，否则受光管损坏。万用表选电阻R×10挡，红、黑表笔分别接输入、输出端，测发光管与受光管之间的绝缘电阻(有条件应用兆欧表测其绝缘电阻，此时兆欧表输出额定电压应略低于被测光电耦合器所允许的耐压值)，发光管与受光管间绝缘电阻正常应为∞。14．光敏电阻的检测检测时将万用表拨到R×lk挡，把光敏电阻的受光面与入射光线保持垂直，于是在万用表上直接测得的电阻就是亮阻。再把光敏电阻置于完全黑暗的场所，这时万用表所测出的电阻就是暗阻。如果亮阻为几千欧至几十千欧，暗阻为几至几十兆欧，说明光敏电阻是好的。15．激光=极管损坏判别拆下激光二极管，测量其阻值，正常情况下反向阻值应为无穷大，正向阻值在20kΩΩ～40kΩ。如果所测的正向阻值已超过50kΩ，说明激光二极管性能已下降；如果其正向阻值已超过90kΩ，说明该管已损坏，不能再使用了。上海海谷电子有限公司为您提供电子元器件回收，期待您的光临！北京批量电子元器件回收公司

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6、负温度系数热敏电阻。NTC)的检测A）测量标称电阻值Rt用万用表测量NTC热敏电阻的方法与测量普通固定电阻的方法相同，即根据NTC热敏电阻的标称阻值选择合适的电阻挡可直接测出Rt的实际值。但因NTC热敏电阻对温度很敏感，故测试时应注意以下几点：①Rt是生产厂家在环境温度为25℃时所测得的，所以用万用表测量Rt时，亦应在环境温度接近25℃时进行，以保证测试的可信度。②测量功率不得超过规定值，以免电流热效应引起测量误差。③注意正确操作。测试时，不要用手捏住热敏电阻体，以防止人体温度对测试产生影响。B）估测温度系数αt先在室温t1下测得电阻值Rt1，再用电烙铁作热源，靠近热敏电阻Rt，测出电阻值RT2，同时用温度计测出此时热敏电阻RT表面的平均温度t2再进行计算。7、压敏电阻的检测用万用表的R×1k挡测量压敏电阻两引脚之间的正、反向绝缘电阻，均为无穷大，否则，说明漏电流大。若所测电阻很小，说明压敏电阻已损坏，不能使用。8、光敏电阻的检测A）用一黑纸片将光敏电阻的透光窗口遮住，此时万用表的指针基本保持不动，阻值接近无穷大。此值越大说明光敏电阻性能越好。若此值很小或接近为零，说明光敏电阻已烧穿损坏，不能再继续使用。武汉呆滞电子元器件回收平台

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